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當(dāng)前位置: 首頁 > 半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)詳細(xì)信息
S530參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
作者:admin    來源:原創(chuàng)    發(fā)布日期:2020-4-10 9:46:08   點(diǎn)擊次數(shù):2576

S530參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)采用了成熟的源和測(cè)量技術(shù),可滿足工藝控制監(jiān)測(cè)、工藝可靠性監(jiān)測(cè)以及器件特性分析所需的全部直流和C-V測(cè)量。

主要特點(diǎn):

  • 針對(duì)各種產(chǎn)品混合的環(huán)境而優(yōu)化設(shè)計(jì),這種環(huán)境下的高度靈活性和測(cè)試規(guī)劃的快速制定至關(guān)重要
  • 可選擇小電流和高電壓系統(tǒng)配置
    – 小電流配置支持測(cè)量小電流特性,例如亞閾值漏流、柵極漏流等
    –高電壓配置專門針對(duì)監(jiān)測(cè) GaN、SiC和 Si LDMOS 功率器件的工藝而優(yōu)化設(shè)計(jì)
  • 兼容常見的全自動(dòng)探針臺(tái)
  • 脈沖產(chǎn)生、頻率測(cè)量,以及低電壓測(cè)量的儀器選件
  • 接線引出(Cabled-out)測(cè)試儀配置最大限度地提高了探針臺(tái)接口的靈活性,并擴(kuò)展了電壓量程
    –兼容吉時(shí)利的9139A型探針卡適配器
    –支持現(xiàn)有5英寸探針卡庫的重用
  • 久經(jīng)考驗(yàn)的儀器技術(shù)確保在實(shí)驗(yàn)室和工廠環(huán)境下均可獲得高測(cè)量準(zhǔn)確度和重復(fù)性

針對(duì)高混合測(cè)試環(huán)境優(yōu)化設(shè)計(jì)

S530參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)針對(duì)必須面對(duì)各種器件和技術(shù)的生產(chǎn)和實(shí)驗(yàn)室環(huán)境優(yōu)化設(shè)計(jì),具有測(cè)試規(guī)劃靈活性、自動(dòng)測(cè)試功能、探針臺(tái)集成以及測(cè)試數(shù)據(jù)管理能力。這些測(cè)試解決方案的設(shè)計(jì)凝聚了吉時(shí)利為客戶提供各種各樣的標(biāo)準(zhǔn)和定制參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)的寶貴經(jīng)驗(yàn)。

簡(jiǎn)單的軟件遷移和高度的硬件重用

S530系統(tǒng)的設(shè)計(jì)加速和簡(jiǎn)化了系統(tǒng)啟動(dòng)過程,并實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)有測(cè)試資源的最大重用。例如,控制這些系統(tǒng)的軟件兼容很多新出和遺留的自動(dòng)探針臺(tái),所以就省去了購買新設(shè)備的費(fèi)用。此外,S530的接線引出(cabled-out)配置通常允許繼續(xù)使用現(xiàn)有的探針卡庫。多項(xiàng)可選的應(yīng)用服務(wù),能夠幫助用戶充分利用現(xiàn)有探針儀和探針卡投資的全部?jī)r(jià)值。吉時(shí)利還可幫助用戶加快開發(fā)新的測(cè)試配置,或?qū)F(xiàn)有測(cè)試配置轉(zhuǎn)換用于S530系統(tǒng)。

半導(dǎo)體行業(yè)強(qiáng)大的標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

提供兩種不同的系統(tǒng)配置,能夠滿足不同的參數(shù)測(cè)試應(yīng)用環(huán)境。S530小電流系統(tǒng)可配置2至8路源測(cè)量單元(SMU)通道,具有亞皮安級(jí)測(cè)量分辨率,并為探針卡提供了全面的小電流保護(hù),使其非常適合于亞微米MOS硅工藝的特性分析。S530高電壓系統(tǒng)可配置3至7路SMU通道,能夠源出高達(dá)1000V的電壓,可用于汽車電子和功率管理器件所需的各種擊穿和漏流測(cè)試。

全部S530系列系統(tǒng)都配備有大功率SMU,在200V和20V量程均可提供高達(dá)20W源出或吸入能力,這種功率水平對(duì)于當(dāng)今移動(dòng)設(shè)備中普遍存在的大功率器件及電路的完整特性分析至關(guān)重要。無論是測(cè)試LDMOS Si 還是GaN BJT的應(yīng)用,這種大功率能力都提供了對(duì)器件性能的更大可見性。這意味著S530系統(tǒng)既可應(yīng)對(duì)大功率器件測(cè)試,又不會(huì)影響監(jiān)測(cè)主流器件工藝所需的小電流亞皮安靈敏度。相比之下,競(jìng)爭(zhēng)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)卻受限于中等功率的2W SMU儀器,因此不能與S530系統(tǒng)的應(yīng)用范圍相提并論。

完全開爾文標(biāo)準(zhǔn)配置

由于接口電纜和通路上電壓降的原因,往往高于幾個(gè)毫安的電流就會(huì)導(dǎo)致測(cè)量 誤差,為預(yù)防這種測(cè)量完整性的下降,小電流和高電壓S530系統(tǒng)在探針卡均提供了完全開爾文測(cè)量配置(也稱為遠(yuǎn)端電壓檢測(cè))。完全開爾文測(cè)量對(duì)于確保S530系統(tǒng)中大功率SMU儀器的20W能力的測(cè)量準(zhǔn)確度尤其重要。

強(qiáng)大的高電壓參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

S530高電壓半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是能夠在多達(dá)24個(gè)引腳上實(shí)現(xiàn)完全開爾文高電 壓性能的參數(shù)測(cè)試儀,這種能力對(duì)于當(dāng)今高功率器件的特性分析來說是無價(jià)之寶。系 統(tǒng)采用了可源出1000V@20mA(最大20W) 的高電壓SMU。利用兩個(gè)高電壓通路,可進(jìn)行直接高邊電流測(cè)量(采用單個(gè)SMU源出和測(cè)量DUT的高邊)或更高靈敏度低邊小電流測(cè)量(采用一個(gè)SMU源出高電壓至DUT的高邊,另一個(gè)SMU用于低邊0V并測(cè)量電流)。

系統(tǒng)架構(gòu)

每套S530系統(tǒng)配置由5層組成:

  • 儀器層 – 除了SMU儀器,S530還提供脈沖產(chǎn)生或進(jìn)行C-V測(cè)量、頻率測(cè)量,或低電壓測(cè)量的選件。
  • 通路層 - S530系統(tǒng)提供高保真度信號(hào)通路,測(cè)試期間可動(dòng)態(tài)重新配置,使任何儀器均可連接至任何引腳或引腳組。
  • 電纜接口層 - 全部系統(tǒng)互連均采用完全屏蔽和保護(hù)的三軸低漏流、高電壓電纜,確保更高的測(cè)量完整性。
  • 探針卡適配器 (PCA)層 - 該層提高了探針卡的屏蔽和保護(hù),確保測(cè)量完整性。此外,PCA為需要直接連接探針卡及必須旁路信號(hào)通路開關(guān)矩陣的儀器提供了輔助輸入。
  • 探針卡層 - 該層包括探針卡供應(yīng)商提供的定制卡。

信號(hào)通路

每套S530測(cè)試系統(tǒng)的核心是一組通過系統(tǒng)開關(guān),直接連接儀器和測(cè)試引腳之間 信號(hào)的高保真度信號(hào)通路。S530具有8條高保真度通路,可用于動(dòng)態(tài)連接儀器和引腳。例如,同時(shí)可將最多8個(gè)SMU儀器連接至任意引腳(或多個(gè)引腳)。S530小電流系統(tǒng)采用開關(guān)矩陣,在全部8條通路上提供一致的性能。S530高壓系統(tǒng)采用帶特定通路的開關(guān)矩陣,提供高電壓/小漏流測(cè)量,以及C-V測(cè)量。請(qǐng)參閱7174A型和 7072-HV數(shù)據(jù)表獲取有關(guān)信號(hào)通路的更多細(xì)節(jié)。

 



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